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場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上，因此場效應管在大規模集成電路中得到了廣泛的應用。
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一般是金屬—氧化物—半導體場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體—半導體。G：gate 柵極；S：source 源極；D：drain 漏極。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
場效應管分為PMOS管和NMOS管，屬于絕緣柵場效應管。
場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管好。
場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上，因此場效應管在大規模集成電路中得到了廣泛的應用。
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