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去耦電容和旁路電容的區別，您了解多少?

文章出處：常見問題 網責任編輯：東莞市平尚電子科技有限公司 閱讀量： 發表時間：2021-03-16 08:42:06

通常電感較大，諧振頻率較小，容量為uf級的電容，例如電解電容鉭電容，它們對低頻信號通過較好，但是對高頻信號，則會有較強的電感性，阻抗較大，大電容還可以減少局部的干擾通過電源耦合出去；陶瓷電容或云母電容容量通常為0.001~0.1uf的電容，可以為高頻干擾信號提供一條旁路，減少外界對該局部的耦合干擾，它的電感小，諧振頻率高，對高頻信號的阻抗也比較小

去耦電容在集成電路電源和地之間的作用：

是本集成電路的蓄能電容，另一方面旁路掉該器件的高頻噪聲。

數字電路中典型的去耦電容值是0.1μF。電容的分布電感的典型值是5μH。

0.1μF的去耦電容有5μH的分布電感，它的并行共振頻率大約在7MHz左右，

對于10MHz以下的噪聲有較好的去耦效果，對40MHz以上的噪聲幾乎不起作用。

1μF、10μF的電容，并行共振頻率在20MHz以上，去除高頻噪聲的效果要好一些。

去耦電容的選用不嚴格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μF。