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車規(guī)級二三極管在ADAS雷達中的低功耗驅(qū)動趨勢
隨著ADAS(高級駕駛輔助系統(tǒng))向L3級以上演進,雷達模組的功耗控制成為平衡性能與續(xù)航的關(guān)鍵。傳統(tǒng)硅基二三極管因?qū)娮韪摺㈤_關(guān)損耗大,難以滿足毫米波雷達對低功耗與高響應(yīng)的雙重需求。東莞市平尚電子科技有限公司(平尚科技)基于AEC-Q101車規(guī)認證標準,開發(fā)了碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)基二三極管,通過材料革新與驅(qū)動算法優(yōu)化,推動ADAS雷達的能效比提升至行業(yè)新高度。

ADAS雷達的功耗挑戰(zhàn)與平尚技術(shù)路徑
ADAS雷達(如77GHz毫米波雷達)需在復雜工況下維持高頻掃描與實時數(shù)據(jù)處理,其功率放大器(PA)與信號鏈路的能耗占比超40%。傳統(tǒng)硅基快恢復二極管的反向恢復時間(trr)長(>50ns),導致開關(guān)損耗占總功耗的30%以上。平尚科技的解決方案聚焦寬禁帶半導體與動態(tài)功耗管理:
碳化硅(SiC)肖特基二極管:采用JBS(結(jié)勢壘肖特基)結(jié)構(gòu),將trr壓縮至5ns以內(nèi),開關(guān)損耗降低60%,反向擊穿電壓達1200V;
氮化鎵(GaN)MOSFET:通過銅基板倒裝焊接工藝,導通電阻(R<sub>DS(on)</sub>)低至10mΩ,開關(guān)頻率提升至10MHz,適配雷達脈沖調(diào)制需求;
智能驅(qū)動IC:集成動態(tài)電壓調(diào)節(jié)(DVS)算法,根據(jù)雷達工作負載實時調(diào)整驅(qū)動電流,靜態(tài)功耗降低至5μA以下。
某L3級車型的實測數(shù)據(jù)顯示,搭載平尚方案的雷達模組能效比提升至92%,功耗較傳統(tǒng)方案降低35%,續(xù)航里程增加8%。

車規(guī)級認證與可靠性驗證
平尚科技的SiC與GaN二三極管通過AEC-Q101認證的全套嚴苛測試:
高溫耐久性:175℃下連續(xù)工作2000小時,性能衰減率<1%;
機械可靠性:通過50G機械沖擊與20G隨機振動測試,焊點失效概率趨近于零;
電磁兼容性:在ISO 11452-8大電流注入測試中,信號失真率<0.1%。
其獨特的三維散熱封裝結(jié)合微流道設(shè)計,熱阻低至0.5℃/W,確保高頻開關(guān)下的結(jié)溫穩(wěn)定在110℃以內(nèi)。某新能源車企的4D成像雷達項目采用平尚器件后,模塊壽命延長至15萬小時,售后故障率降低70%。

低功耗驅(qū)動方案的技術(shù)細節(jié)
平尚科技的低功耗設(shè)計涵蓋三層次創(chuàng)新:
材料革新:SiC襯底通過外延生長優(yōu)化缺陷密度,使器件漏電流低于1nA@1000V;
結(jié)構(gòu)優(yōu)化:GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)采用p-GaN柵極結(jié)構(gòu),閾值電壓穩(wěn)定性提升至±0.1V;
系統(tǒng)協(xié)同:通過PMIC(電源管理芯片)與二三極管的聯(lián)動控制,實現(xiàn)休眠模式下功耗<10mW,激活瞬時響應(yīng)時間<1μs。
在ISO 16750-4高溫測試中,平尚方案使雷達電源模塊的電壓紋波從8%壓縮至1.5%,目標檢測信噪比(SNR)提升至68dB。
行業(yè)趨勢:低功耗與高集成的雙重演進
隨著ADAS雷達向4D成像與超高頻(120GHz+)發(fā)展,行業(yè)對二三極管的功耗與集成度提出更高要求。平尚科技正推動智能功率模組(IPM)研發(fā),將驅(qū)動IC、二三極管與熱管理單元集成于單一封裝,體積縮減50%,功耗再降20%。同時,探索無線能量傳輸技術(shù),通過磁共振耦合為雷達模組供電,消除線纜損耗。
某頭部Tier 1供應(yīng)商的實測表明,平尚IPM方案使雷達模組功耗密度提升至5W/cm3,同時通過ASIL-B功能安全認證,為L4級自動駕駛提供底層保障。
未來展望:從能效優(yōu)化到生態(tài)重構(gòu)

平尚科技以AEC-Q101認證為基石,構(gòu)建覆蓋設(shè)計、生產(chǎn)與測試的全鏈路低功耗技術(shù)體系。其數(shù)字孿生仿真平臺可提前預測器件在不同場景下的能耗表現(xiàn),并通過AI算法優(yōu)化驅(qū)動參數(shù)。此外,牽頭制定車規(guī)級低功耗半導體團體標準,推動行業(yè)從“單一器件升級”向“系統(tǒng)能效革命”跨越,為智能駕駛的綠色可持續(xù)發(fā)展注入新動能。